在芯片制造过程中,离子注入是其中一道重要的工序。为了准确的注入离子,需要在一个有限空间中用电磁场对离子的运动轨迹进行调控。现在,我们来研究一个类似的模型。在空间内存在边长

m的立方体

,以
O为坐标原点,沿
OA、

和
OD方向分别建立
x、
y、
z轴。在
OACD面的中心
M处存在一粒子发射源,可在底面内沿任意方向发射初速度为

,比荷

的带正电粒子(不计重力)。可在区域内施加一定的匀强电场或者匀强磁场,使粒子可以到达相应的空间位置。
(1)在立方体内施加沿
y轴正向的匀强磁场,使粒子不飞出立方体,求施加磁场的磁感应强度
B的最小值;
(2)在立方体内施加沿
y轴正向的匀强电场,使粒子只能从

面飞出,求施加电场的电场强度
E的最小值;
(3)在立方体内施加沿
y轴正向的匀强磁场,若磁感应强度大小为

T,求粒子在磁场中运动时间的最大值

和最小值

;
(4)在(3)问的基础上再加上沿
y轴正向的匀强电场,电场强度为

。问(3)中最大时间和最小时间对应的粒子能否从

面飞出?若粒子不能从

面飞出,请写出这些粒子飞出立方体区域时的空间坐标(
x,
y,
z)。