

(1)求离子从小孔A射入磁场后打到板上的M的坐标;
(2)若离子源C能飘出两种质量分别为2m和m、电荷量均为+q的甲、乙两种离子,离子从静止开始经如图所示的电压为U的加速电场加速后都能通过A垂直磁场射入磁场区域,如图乙所示现在y轴上放置照相底片,若加速电压在(



(3)在x轴正向铺设足够长的光滑绝缘板,如图丙所示。离子打到板上后垂直板方向的碰后速度总是碰前该方向上速度的0.6倍,平行板方向上分速度不变,在板上M点的右边有边界平行于y轴的宽为d的有界磁场磁感应强度也为B,磁场竖直方向足够长,若要求离子在磁场中与板碰撞3次后(M点除外)水平离开磁场右边界,则磁场宽度d应满足什么条件?


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y = sin x, x∈R, y∈[–1,1],周期为2π,函数图像以 x = (π/2) + kπ 为对称轴
y = arcsin x, x∈[–1,1], y∈[–π/2,π/2]
sin x = 0 ←→ arcsin x = 0
sin x = 1/2 ←→ arcsin x = π/6
sin x = √2/2 ←→ arcsin x = π/4
sin x = 1 ←→ arcsin x = π/2


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