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(1)第三代半导体材料
成键结构与金刚石相似，晶体中只存在
键、
键。①基态
原子的价层电子排布式为②
与
中，
原子的杂化方式为为例，说明
与原子间可形成配位键的原因：③硅是传统半导体材料，晶体硅与金刚石结构相似，但二者性质有所差异。解释金刚石硬度大于晶体硅的原因：
(2)以
等半导体材料制作的传感器和芯片具有能耗低、效率高的优势。①
等金属具有良好的导电性，从“电子气”的理论看，原因是②
晶体中部分氧原子被氮原子替代后可改善半导体性能。推断离子键成分百分数：Zn-N
”或“
”)，推测的依据是③
晶胞结构如图：
，最近的两个氧原子距离为
，计算晶体的摩尔体积Vm=
。
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y = sin x， x∈R， y∈[–1，1]，周期为2π，函数图像以 x = (π/2) + kπ 为对称轴
y = arcsin x， x∈[–1，1]， y∈[–π/2，π/2]
sin x = 0 ←→ arcsin x = 0
sin x = 1/2 ←→ arcsin x = π/6
sin x = √2/2 ←→ arcsin x = π/4
sin x = 1 ←→ arcsin x = π/2
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