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方法Ⅰ：
方法Ⅱ：
方法Ⅲ：
(1)基态
的核外电子排布式为(2)氨气、甲烷中心原子的杂化方式是
(3)方法Ⅰ比方法Ⅱ温度高的主要原因是(从结构上解释)
(4)方法Ⅲ中，通电氮气流中存在N、
、
活化粒子，常温下就能与液体镓反应(如图所示)。、电子式分别为完全反应得到
。
(5)对高温GaN熔液慢速降温，至2950K时形成结晶。科学家展示了从中截取厚度为1.5个原子厚度的微观结构截面图(如下所示)：
区域1、区域2分别为氮化镓
同类型试题
y = sin x， x∈R， y∈[–1，1]，周期为2π，函数图像以 x = (π/2) + kπ 为对称轴
y = arcsin x， x∈[–1，1]， y∈[–π/2，π/2]
sin x = 0 ←→ arcsin x = 0
sin x = 1/2 ←→ arcsin x = π/6
sin x = √2/2 ←→ arcsin x = π/4
sin x = 1 ←→ arcsin x = π/2
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sin x = √2/2 ←→ arcsin x = π/4
sin x = 1 ←→ arcsin x = π/2
